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一种浸入式倾斜角度曝光之高分子脊梁式波导结构之制法，其包括下列步骤：一．前置步骤：准备一矽基板；于该矽基板上预先设置一层二氧化矽，再于该二氧化矽上涂布一光阻；将该矽基板、该二氧化矽及该光阻同时进行软烤；之后于该光阻上覆设一光罩，该光罩至少具有预定数量之透光部；再设置一容器，该容器内填入预定量之液体；二．计算步骤：运用斯涅耳定律(SNELL’SLAW)之公式：i>n/i>1sin θ1=i>n/i>2sin θ2i>n/i>2sin θ2=i>n/i>3sin θ3可得：i>n/i>1sin θ1=i>n/i>3sin θ3sin θ3=@sIMGCHAR!d10027.TIF@eIMG!sin θ1θ3=sin-1其中：θ1被设定为该矽基板、该二氧化矽、该光阻及该光罩置入该液体之第一倾斜角；θ2系折射入该光罩内部之第二倾斜角；θ3被设定为一脊梁式波导结构其倾斜面之第三倾斜角；i>n/i>1被设定为该液体之折射系数；i>n/i>2被设定为该光罩之折射系数；i>n/i>3被设定为该光阻之折射系数；三．一次倾斜曝光步骤：将软烤后的矽基板、该二氧化矽、该光阻及该光罩，以该第一倾斜角置于该液体内；对该液体垂直照射一紫外光；该紫外光照射到该光罩之透光部；会以该第一倾斜角入射，于该光罩内部以第二倾斜角行进，再以第三倾斜角折射进入该光阻中并进行一次倾斜曝光，且于该光阻上形成至少一第一成型部；四．旋转180°步骤：将一次倾斜曝光后的该矽基板、该二氧化矽、该光阻及该光罩，旋转180°；五．二次倾斜曝光步骤：将旋转180°后的该矽基板、该二氧化矽、该光阻及该光罩，同样以该第一倾斜角置于该液体内；并对该液体垂直照射该紫外光；该紫外光透过该光罩之复数个透光部，折射至该光阻进行二次倾斜曝光，并于该光阻上形成第二成型部，且该第一成型部与第二成型部系局部重叠而形成一概呈梯形之区域；六．完成步骤：将该矽基板之二氧化矽上未曝光部分之光阻去除，剩下由该第一成型部及该第二成型部共同组成之梯形之区域，此即该脊梁式波导结构，该脊梁式波导结构之两端分别形成具有该第三倾斜角之倾斜面。如申请专利范围第1项所述之浸入式倾斜角度曝光之高分子脊梁式波导结构之制法，其中：于该前置步骤中：系以硫酸：双氧水＝3：1；配合去离子水清洗该矽基板；再将该矽基板置入大约120度之烤箱烘乾；该矽基板上之二氧化矽系以200 μm之厚度为较佳；再设置一旋转涂布机，并以300rpm、15sec以及900rpm、30sec两个阶段的转速转动该矽基板，以将该光阻均匀涂布于该矽基板上；该光阻系使用JSR－120N型号之负光阻；且该矽基板、该二氧化矽及该光阻系同时置入烤箱，并以摄氏100度软烤7分钟；该光罩系为玻璃板，其上至少具有复数个透光部及一阻光层；该透光部系以长度2000 μm、宽度100 μm为较佳尺寸；该容器系为正方形玻璃容器；其内之液体系选用去离子水、其他液体其中之一。如申请专利范围第1项所述之浸入式倾斜角度曝光之高分子脊梁式波导结构之制法，其中：于该一次倾斜曝光步骤中：该紫外光系以1280 mJ/cm2、80sec的剂量，对该光阻进行一次倾斜曝光。如申请专利范围第1项所述之浸入式倾斜角度曝光之高分子脊梁式波导结构之制法，其中：于该二次倾斜曝光步骤中：该紫外光系以1280 mJ/cm2、80sec的剂量，对该光阻进行二次倾斜曝光。如申请专利范围第1项所述之浸入式倾斜角度曝光之高分子脊梁式波导结构之制法，其中，于该完成步骤后，又可再包括：七．后续步骤：其系于该脊梁式波导结构之倾斜面上，镀一金属层，藉此，可分离不同波长之光源。如申请专利范围第1项所述之浸入式倾斜角度曝光之高分子脊梁式波导结构之制法，其中，于该完成步骤后，又可再包括：七．后续步骤：其系于该矽基板之二氧化矽，以及该脊梁式波导结构上，同时镀一导电层，藉此可于该导电层上电铸成型一模具，经脱模后，于该模具上形成对应该脊梁式波导结构之模穴，进而可以该模具进行射出成型。如申请专利范围第6项所述之浸入式倾斜角度曝光之高分子脊梁式波导结构之制法，其中，该导电层系为低电阻金属。 |
