发明名称 发光装置及其制造方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.04.01
申请号 TW095141799 申请日期 2006.11.10
申请人 LG显示器股份有限公司 发明人 黄旷兆;崔熙东;朴宰希
分类号 H01L27/32 主分类号 H01L27/32
代理机构 代理人 洪尧顺 台北市内湖区行爱路176号3楼
主权项 一种发光装置,包括:一第一基板,包括一接触区和一像素区;复数条信号线,设置在该第一基板上,以定义该接触区和该像素区,该些信号线包括复数条扫描线、一第一电力线、以及一第二电力线;一闸极绝缘层,其设置在该些信号线上,该闸极绝缘层包括暴露出该@sIMGCHAR!d10012.TIF@eIMG!第一电力线的一部分的一第一导通孔、以及暴露出该@sIMGCHAR!d10013.TIF@eIMG!第二电力线的一部分的一第二导通孔;一第一接触层,设置在该闸极绝缘层的该接触区上;一半导体层,设置在该闸极绝缘层的该像素区上;一第二接触层,设置在该第一接触层上;一源极和一汲极,设置在该半导体层的一部分上;一第一金属线,通过该第一导通孔以该第二接触层和该第一电力线连接;一第二金属线,通过该第二导通孔以该源极和该第二电力线连接;一第二基板,系与该第一基板相对;一第一电极,设置在该第二基板上;一像素定义层,设置在该第一电极上,该像素定义层包括暴露出该第一电极的一部分的一接触孔和一开口;一第一间隔体,设置在该像素定义层的该接触区;一第二间隔体,设置在该像素定义层的该像素区;一发光层,设置在该开口中;一第三金属线,设置在该第一间隔体上;以及一第二电极,设置在该第二间隔体和该发光层上,其中该第三金属线以该第一基板之该第二接触层与设置于该第二基板上的该第一电极连接,当该第一基板与该第二基板接合时,该第二电极系与该第一基板的该汲极电性连接,该第一接触层与该第二接触层的组合厚度实质上与该半导体层与该源极或该汲极的组合厚度相同。如申请专利范围第1项所述之发光装置,其中,该第一接触层的厚度与该半导体层的厚度实质上相同。如申请专利范围第1项所述之发光装置,其中,该第二接触层的厚度与该源极的厚度或该汲极的厚度实质上相同。如申请专利范围第1项所述之发光装置,其中,该第一电极是阳极,而该第二电极是阴极。如申请专利范围第1项所述之发光装置,其中,该发光层包括一有机材料。如申请专利范围第1项所述之发光装置,其中,该第一电力线是正电力线,而该第二电力线是负电力线。如申请专利范围第1项所述之发光装置,更包括一钝化层,其设置在该第二接触层、该源极和该汲极上,其中,该钝化层包括暴露出该第二接触层的一部分之一第三导通孔和一第四导通孔、以及暴露出该源极和该汲极的一部分之一第五导通孔和一第六导通孔。一种发光装置的制造方法,包括下列步骤:制造包括一接触区和一像素区的一第一基板;在该第一基板上形成包括一闸极、一扫描线、一第一电力线和一第二电力线的复数条信号线,以定义该接触区和该像素区;在形成有该闸极和该些信号线的该第一基板上,形成一闸极绝缘层;在该闸极绝缘层的该接触区和该像素区上分别形成一第一接触层和与该闸极对应的一半导体层;在该第一接触层上形成一第二接触层,同时,在该半导体层上形成一源极和一汲极;形成一第一导通孔和一第二导通孔,以在该闸极绝缘层中暴露出该第一电力线和该第二电力线的一部分;形成一第一金属线,以通过该第一导通孔将该第一电力线与该第二接触层电性连接,并且形成一第二金属线,以通过该第二通孔将该第二电力线与该源极电性连接;制造包括该接触区和该像素区的一第二基板;在该第二基板上形成一第一电极;形成一像素定义层,该像素定义层包括一第一接触孔和一开口,该第一接触孔和该开口暴露出该第一电极的该接触区和该像素区上的该第一电极的一部分;在该开口中形成一发光层;分别在该像素定义层的该接触区和该像素区上形成一第一间隔体和一第二间隔体;在该第一间隔体上形成一第三金属线,该第三金属线通过该第一接触孔而与该第一电极电性连接,并在该发光层和该第二间隔体上形成一第二电极;以及将该第一基板与该第二基板接合,以使该第三金属线与该第二接触层电性连接,且使该第二电极与该汲极电性连接,其中该第一接触层与该第二接触层的组合厚度实质上与该半导体层与该源极或该汲极的组合厚度相同。如申请专利范围第8项所述之发光装置的制造方法,其中,该第一接触层由与该半导体层相同的材料形成。如申请专利范围第8项所述之发光装置的制造方法,其中,该第二接触层由与该源极和该汲极相同的材料形成。如申请专利范围第8项所述之发光装置的制造方法,更包括:在该第二接触层、该源极和该汲极上形成一钝化层;以及形成一第三导通孔和一第四导通孔,以暴露出该第二接触层的一部分,且形成一第五导通孔和一第六导通孔,以暴露出该源极和该汲极的一部分。如申请专利范围第8项所述之发光装置的制造方法,更包括:在该第二接触层、该源极和该汲极上形成一钝化层;形成一第三导通孔和一第四导通孔,以暴露出该第二接触层的一部分;以及形成一第五导通孔和一第六导通孔,以暴露出该源极和该汲极的一部分。如申请专利范围第12项所述之发光装置的制造方法,其中,藉由乾蚀刻步骤,同时形成该第一导通孔至该第六导通孔。如申请专利范围第8项所述之发光装置的制造方法,其中,该第一电极的材料系选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟铈氧化物和氧化锌所成组群中之至少一者。如申请专利范围第8项所述之发光装置的制造方法,其中,该第二电极的材料系选自镁、银、铝、钙及其合金所成组群中之至少一者。如申请专利范围第8项所述之发光装置的制造方法,其中,该发光层包括一有机材料。
地址 南韩