| 主权项 |
一种积体电路晶片，包括：线路驱动器，用以提供源电流；晶片上源端，耦合于所述线路驱动器以吸收所述积体电路晶片接收的反射信号；偏流生成器，用以通过结合基于晶片外电阻的第一电流和基于晶片上电阻的第二电流，以提供偏置电流至所述线路驱动器。如申请专利范围第1项所述的积体电路晶片，其中，所述积体电路晶片为可以在125MHz频率下工作的乙太网路发送器。如申请专利范围第1项所述的积体电路晶片，其中，所述积体电路晶片为可以在1GHz频率下工作的乙太网路发送器。如申请专利范围第1项所述的积体电路晶片，其中，所述积体电路晶片具有满足IEEE Std.802.3ab的要求的回程损耗。如申请专利范围第1项所述的积体电路晶片，其中，所述积体电路晶片具有满足IEEE Std.802.3an的要求的回程损耗。如申请专利范围第1项所述的积体电路晶片，其中，所述偏流生成器控制所述线路驱动器基于所述晶片上源端提供精密的输出电压振幅。一种调整积体电路晶片的输出电压的方法，所述积体电路晶片包括耦合于晶片外电阻的第一电流源和耦合于晶片上电阻的第二电流源，所述方法包括：调整所述晶片上电阻的微调控制以设置所述积体电路晶片的输出电压；连接负载至所述积体电路晶片；启动所述第一电流源；回应连接所述负载以及启动所述第一电流源，调整所述晶片外电阻的微调控制以设置所述积体电路晶片的所述输出电压。如申请专利范围第7项所述的方法，其中，所述方法进一步包括将所述负载从所述积体电路晶片分离，并调整所述晶片上电阻的微调控制以回应所述负载的分离。如申请专利范围第7项所述的方法，其中，所述方法进一步包括禁用所述第一电流源，并调整所述晶片上电阻的微调控制以回应所述第一电流源的禁用。如申请专利范围第9项所述的方法，其中，所述禁用第一电流源包括设置所述晶片外电阻的微调控制接近零。 |
