发明名称 太阳能发光装置
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.04.21
申请号 TW096106138 申请日期 2007.02.16
申请人 海德威电子工业股份有限公司 台中市西屯区工业区十路4号;禧通科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区光复南路5之1号 发明人 赖利弘;黄堃芳;谢文昇;赖利温
分类号 H01L31/042 主分类号 H01L31/042
代理机构 代理人 蔡朝安 新竹市科学工业园区力行一路1号E之1
主权项 一种光接收发射积体元件,包含:一太阳能晶片,设置于一承载基座上,其中,该太阳能晶片包含一第一P极及一第一N极;一发光二极体晶片,设置于该承载基座上,该发光二极体晶片包含一第二P极及一第二N极;一透明封装体,覆盖该发光二极体晶片及该太阳能晶片;以及一导电结构,部分暴露于该透明封装体外,该太阳能晶片经由该承载基座及该导电结构至少其中之一提供一能量给该发光二极体晶片,其中该导电结构包含一第一正极金属导线、一共极金属导线及一第二正极金属导线,该第一正极金属导线、该共极金属导线与该第二正极金属导线彼此电性绝缘,且该第一N极与该第二N极电性连接至该共极金属导线,该第一P极电性连接至该第一正极金属导线,该第二P极电性连接至该第二正极金属导线。如请求项1所述之光接收发射积体元件,其中,该透明封装体具有一弧形表面。如请求项1所述之光接收发射积体元件,其中,该太阳能晶片系位于该透明封装体之一焦点位置。如请求项1所述之光接收发射积体元件,其中,该透明封装体系为环氧化合物或玻璃。如请求项1所述之光接收发射积体元件,其中,该发光二极体晶片系为一发光二极体阵列。如请求项1所述之光接收发射积体元件,其中,该发光二极体晶片系选自红光发光二极体晶片、蓝光发光二极体晶片、绿光发光二极体晶片及白光发光二极体晶片其中之一。如请求项1所述之光接收发射积体元件,其中,该太阳能晶片以一化合物为基底,该化合物为砷化镓(GaAs)、铟砷化镓(InGaAs)、碲化镉(CdTe)、铝砷化镓(AlGaAs)、铜铟硒化镓(CuIn(Ga)Se2)或其组合物。如请求项1所述之光接收发射积体元件,更包含一导线架具有该承载基座、该第一正极金属导线、该共极金属导线与该第二正极金属导线。如请求项8所述之光接收发射积体元件,其中,该第一P极设置于该太阳能晶片顶面,该第一N极设置于该太阳能晶片底面,该第二P极设置于该发光二极体晶片顶面,该第二N极设置于该发光二极体晶片底面。如请求项9所述之光接收发射积体元件,其中,该第一P极藉由一第一金属引线电性连接至该第一正极金属导线,该第二P极藉由一第二金属引线电性连接至该第二正极金属导线,在该第一N极及该承载基座之间设置一第一导电胶,藉以黏固该太阳能晶片于该导线架上且电性连接该第一N极与该共极金属导线,又在该第二N极及该承载基座之间设置一第二导电胶,藉以黏固该发光二极体晶片于该导线架上且电性连接该第二N极与该共极金属导线。如请求项10所述之光接收发射积体元件,其中,该第一导电胶与该第二导电胶系为银胶。如请求项8所述之光接收发射积体元件,其中,该第一P极设置于该太阳能晶片顶面,该第一N极设置于该太阳能晶片底面,该第二P极设置于该发光二极体晶片顶面,该第二N极设置于该发光二极体晶片顶面且位于该第二P极旁。如请求项12所述之光接收发射积体元件,其中,该第一P极藉由一第一金属引线电性连接至该第一正极金属导线,该第二P极藉由一第二金属引线电性连接至该第二正极金属导线,在该第一N极及该承载基座之间设置一导电胶,藉以黏固该太阳能晶片于该导线架上且电性连接该第一N极与该共极金属导线,该第二N极藉由一第三金属引线与该导线架接合而电性连接至该共极金属导线,并有一绝缘之环氧树脂设置于该发光二极体晶片及该承载基座之间,藉以黏固该发光二极体晶片于该导线架上。如请求项13所述之光接收发射积体元件,其中,该导电胶系为银胶。一种应用请求项1所述之光接收发射积体元件的太阳能发光装置,包含:该光接收发射积体元件,其中该透明封装体将入射之太阳光聚焦至该太阳能晶片以产生一第一电压;一可充电式电池,电性连接至该导电结构,且藉由该太阳能晶片以该第一电压充电;以及一特殊应用积体电路,电性连接至该可充电式电池,以将该第一电压升压至一第二电压,且电性连接至该导电结构,以便经由该可充电式电池以该第二电压驱动该发光二极体晶片发光。如请求项15所述之太阳能发光装置,其中,当该特殊应用积体电路所接收之该第一电压低于一预设之临界电压时,该特殊应用积体电路驱动该发光二极体晶片发光。如请求项15所述之太阳能发光装置,其中,该第二电压高于该第一电压。如请求项17所述之太阳能发光装置,其中,该第二电压不低于一截止电压,且该第二电压高于该截止电压。
地址 台中市西屯区工业区十路4号;新竹县湖口乡新竹工业区光复南路5之1号