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一种系统误操作的防止装置，系应用于电子设备中，且该电子设备系具有于本端工作异常时提供保护措施之保护单元，该系统误操作的防止装置系包括：侦测单元，系用以侦测该电子设备之工作状态，且于侦测到该电子设备之工作状态系为异常时产生一触发讯号；控制单元，用以依据该电子设备之中央处理单元的上电过程而对应产生第一状态值转换控制讯号或第二状态值禁止转换控制讯号；以及转换单元，具有第一开关元件及与该第一开关元件电性连接之第二开关元件，其中该第一开关元件系与该侦测单元及控制单元电性连接，该第二开关元件系与该第一开关元件、控制单元及保护单元电性连接，俾令该第二开关元件于接收到该控制单元所产生之第一状态值转换控制讯号时，将该侦测单元所产生之触发讯号经由该第一开关元件并进行电位转换处理以产生可触发该保护单元的讯号，并将处理后之讯号传输至该电子设备之保护单元，俾令该保护单元据以实施保护措施；该第二开关元件于接收到该控制单元所产生之第二状态值禁止转换控制讯号时，不执行触发讯号转换处理，俾不触发该保护单元而禁止该保护单元实施保护措施。如申请专利范围第1项之系统误操作的防止装置，其中，该侦测单元系为该电子设备之中央处理单元(CPU)内部错误侦测单元，并且于侦测到该中央处理单元系正常状态时发出高电位讯号以及于侦测到该中央处理单元正产生内部错误时发出低电位讯号。如申请专利范围第1项之系统误操作的防止装置，其中，该侦测单元系为温度感测单元，并且于侦测到该中央处理单元之运行温度系正常状态时发出高电位讯号以及于侦测到该中央处理单元之运行温度过高时系发出低电位讯号。如申请专利范围第1项之系统误操作的防止装置，其中，该第一状态值系为高电位，该第二状态值系为低电位。如申请专利范围第1项之系统误操作的防止装置，其中，该第一、第二开关元件系为共射极电晶体，且该射极系接地。如申请专利范围第5项之系统误操作的防止装置，其中，该第一开关元件之基极系与中央处理单元之参考电压电性连接，该第二开关元件之集极系与主机板之供电电压电性连接。如申请专利范围第5项之系统误操作的防止装置，其中，该电晶体系为NPN型电晶体。 |
