| 主权项 |
一种具高低电压共容特性之介面电路，包括：一第一电晶体，包括闸极、第一源/汲极、第二源/汲极、以及基体，其第一源/汲极耦接一输入节点；一基体电压产生模组，耦接该第一电晶体之第一源/汲极，用以依据该输入节点之电压，而决定提供一第一电压或一特定电压至该第一电晶体之基体，其中该特定电压大于该第一电压；以及一偏压模组，耦接该第一电晶体之闸极，用以提供一偏压至该第一电晶体之闸极，使该第一电晶体导通，进而控制该第一电晶体之第二源/汲极电压。如申请专利范围第1项所述具高低电压共容特性之介面电路，其中该第一电压为系统电压。如申请专利范围第1项所述具高低电压共容特性之介面电路，其中该输入节点为一输入焊垫。如申请专利范围第1项所述具高低电压共容特性之介面电路，更包括：一第二电晶体，其第一与第二源/汲极分别耦接该第一电晶体之第一与第二源/汲极，而该第二电晶体之闸极耦接该第一电压。如申请专利范围第1项所述具高低电压共容特性之介面电路，其中该偏压模组包括：一第一电路，耦接于该第一电晶体之第二源/汲极与闸极之间，用以侦测该第一电晶体之第二源/汲极电压，以提供该偏压至该第一电晶体之闸极；以及一第二电路，耦接该第一电晶体之第一源/汲极与闸极之间，用以侦测该第一电晶体之第一源/汲极电压，决定是否调整该偏压之大小。如申请专利范围第5项所述具高低电压共容特性之介面电路，其中该第二电路包括：一第三电晶体，其第一源/汲极耦接该第一电晶体之第一源/汲极，其闸极耦接该第一电压，其第二源/汲极耦接该第一电晶体之闸极，其基体耦接该第一电晶体之基体。如申请专利范围第5项所述具高低电压共容特性之介面电路，其中该第一电路包括：一第一反相器，其输入端耦接该第一电晶体之第二源/汲极；一第四电晶体，其第一源/汲极耦接一第二电压，其闸极耦接该第一反相器之输出端；一第五电晶体，其第一源/汲极耦接该第四电晶体之第二源/汲极，其闸极耦接该第一电压，其第二源/汲极耦接该第一电晶体之闸极；以及一拴锁器，耦接该第四电晶体之第二源/汲极。如申请专利范围第7项所述具高低电压共容特性之介面电路，其中该第二电压为接地电压。如申请专利范围第7项所述具高低电压共容特性之介面电路，其中该拴锁器包括：一第二反相器，其输入端耦接该第四电晶体之第二源/汲极；以及一第三反相器，其输入端耦接该第二反相器之输出端，其输出端耦接该第二反相器之输入端。如申请专利范围第1项所述具高低电压共容特性之介面电路，其中该基体电压产生模组包括：一第六电晶体，其第一源/汲极耦接该第一电晶体之第一源/汲极，其闸极耦接该第一电压，其第二源/汲极及基体耦接该第一电晶体之基体；以及一第七电晶体，其第一源/汲极耦接该第一电压，其闸极耦接该第一电晶体之闸极，其第二源/汲极及基体耦接该第一电晶体之基体。如申请专利范围第1项所述具高低电压共容特性之介面电路，更包括：一反相放大器，其输入端耦接该第一电晶体之第二源/汲极，其输出端耦接一输出节点。如申请专利范围第11项所述具高低电压共容特性之介面电路，其中该输出节点为一输出焊垫。如申请专利范围第11项所述具高低电压共容特性之介面电路，其中该反相放大器包括：一第八电晶体，其第一源/汲极耦接该第一电压，其闸极耦接该第一电晶体之第二源/汲极，其第二源/汲极耦接该输出节点；一第九电晶体，其第一源/汲极耦接该第八电晶体之第一源/汲极，其闸极接收一致能信号，其第二源/汲极耦接该第八电晶体之第二源/汲极；一第十电晶体，其第一源/汲极耦接该第八电晶体之第二源/汲极，其闸极耦接该第九电晶体之闸极；以及一第十一电晶体，其第一源/汲极耦接该第十电晶体之第二源/汲极，其闸极耦接该第八电晶体之闸极，其第二源/汲极耦接一第二电压。一种具高低电压共容特性之石英振荡电路，包括：一石英单元，耦接一输入焊垫与一输出焊垫之间，用以提供一振荡信号；一第一电晶体，包括闸极、第一源/汲极、第二源/汲极、以及基体，其第一源/汲极耦接该输入焊垫；一基体电压产生模组，耦接该第一电晶体之第一源/汲极，用以依据该输入焊垫之电压，而决定提供一第一电压或一特定电压至该第一电晶体之基体，其中该特定电压大于该第一电压；一偏压模组，耦接该第一电晶体之闸极，用以提供一偏压至该第一电晶体之闸极，使该第一电晶体导通，进而控制该第一电晶体之第二源/汲极电压；以及一反相放大器，其输入端耦接该第一电晶体之第二源/汲极，其输出端耦接该输出焊垫。如申请专利范围第14项所述具高低电压共容特性之石英振荡电路，其中该第一电压为系统电压。如申请专利范围第14项所述具高低电压共容特性之石英振荡电路，更包括：一第二电晶体，其第一源/汲极耦接该第一电晶体之第一源/汲极，其闸极耦接该第一电压，其第二源/汲极耦接该第一电晶体之第二源/汲极。如申请专利范围第14项所述具高低电压共容特性之石英振荡电路，其中该偏压模组包括：一第一电路，耦接该第一电晶体之第二源/汲极与闸极之间，用以侦测该第一电晶体之第二源/汲极电压，以提供该偏压至该第一电晶体之闸极；以及一第二电路，耦接于该第一电晶体之第一源/汲极与闸极之间，用以侦测该第一电晶体之第一源/汲极电压，决定是否调整该偏压之大小。如申请专利范围第17项所述具高低电压共容特性之石英振荡电路，其中该第二电路包括：一第三电晶体，其第一源/汲极耦接该第一电晶体之第一源/汲极，其闸极耦接该第一电压，其第二源/汲极耦接该第一电晶体之闸极，其基体耦接该第一电晶体之基体。如申请专利范围第17项所述具高低电压共容特性之石英振荡电路，其中该第一电路包括：一第一反相器，其输入端耦接该第一电晶体之第二源/汲极；一第四电晶体，其第一源/汲极耦接一第二电压，其闸极耦接该第一反相器之输出端；一第五电晶体，其第一源/汲极耦接该第四电晶体之第二源/汲极，其闸极耦接该第一电压，其第二源/汲极耦接该第一电晶体之闸极；以及一拴锁器，耦接该第四电晶体之第二源/汲极。如申请专利范围第19项所述具高低电压共容特性之石英振荡电路，其中该第二电压为接地电压。如申请专利范围第19项所述具高低电压共容特性之石英振荡电路，其中该拴锁器包括：一第二反相器，其输入端耦接该第四电晶体之第二源/汲极；以及一第三反相器，其输入端耦接该第二反相器之输出端，其输出端耦接该第二反相器之输入端。如申请专利范围第14项所述具高低电压共容特性之石英振荡电路，其中该基体电压产生模组包括：一第六电晶体，其第一源/汲极耦接该第一电晶体之第一源/汲极，其闸极耦接该第一电压，其第二源/汲极及基体耦接该第一电晶体之基体；以及一第七电晶体，其第一源/汲极耦接该第一电压，其闸极耦接该第一电晶体之闸极，其第二源/汲极及基体耦接该第一电晶体之基体。如申请专利范围第14项所述具高低电压共容特性之石英振荡电路，其中该反相放大器包括：一第八电晶体，其第一源/汲极耦接该第一电压，其闸极耦接该第一电晶体之第二源/汲极，其第二源/汲极耦接该输出焊垫；一第九电晶体，其第一源/汲极耦接该第八电晶体之第一源/汲极，其闸极接收一致能信号，其第二源/汲极耦接该第八电晶体之第二源/汲极；一第十电晶体，其第一源/汲极耦接该第八电晶体之第二源/汲极，其闸极耦接该第九电晶体之闸极；以及一第十一电晶体，其第一源/汲极耦接该第十电晶体之第二源/汲极，其闸极耦接该第八电晶体之闸极，其第二源/汲极耦接一第二电压。如申请专利范围第14项所述具高低电压共容特性之石英振荡电路，其中该石英单元包括：一石英，其第一端耦接该输入焊垫，其第二端耦接该输出焊垫；一电阻，其第一端耦接该石英之第一端，其第二端耦接该石英之第二端；一第一电容，其第一端耦接该石英之第一端，其第二端耦接一第二电压；以及一第二电容，其第一端耦接该石英之第二端，其第二端耦接该第二电压。 |
