| 主权项 |
一种记忆体之字元线的形成方法，包括：提供一基底；在该基底上形成一导体层；在该导体层上形成一金属矽化物层；在该金属矽化物层上形成一罩幕图案，以定义出多数个字元线区域并露出该金属矽化物层的部分表面；在该基底上形成一罩幕衬层，覆盖该罩幕图案与该金属矽化物层的表面，以缩减该些字元线区域之间的距离；对该罩幕衬层与该罩幕图案进行一蚀刻制程，直到露出该金属矽化物层的部分表面；以及以该罩幕衬层与该罩幕图案作为罩幕，蚀刻该金属矽化物层与该导体层，以形成多数条字元线，其中该金属矽化物层中的矽含量@sIMGCHAR!d10018.TIF@eIMG!2原子数/分子，以降低该些字元线之间的桥接故障率(bridge failure rate)。如申请专利范围第1项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中该金属矽化物层包括WSix层。如申请专利范围第2项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中形成该金属矽化物层的方法包括进行一低压化学气相沉积制程。如申请专利范围第3项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中该低压化学气相沉积制程包括以二氯矽烷(dichlorosilane，DCS)作为矽的来源气体以及以WF6作为钨的来源气体。如申请专利范围第2项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中该WSix层中的x介于1.9~2之间。如申请专利范围第1项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中形成该罩幕图案之步骤包括：利用化学气相沉积法在该金属矽化物层上形成一氧化层；以及利用微影蚀刻制程，使该氧化层成为露出该金属矽化物层的部分表面之氧化物图案。如申请专利范围第1项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中形成该罩幕衬层的方法包括利用低压化学气相沉积法在反应气体为四乙氧基矽烷(TEOS)的情形下沉积一氧化薄膜。如申请专利范围第1项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中该导体层的材料包括掺杂多晶矽。如申请专利范围第1项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中形成该些字元线之步骤后更包括在该些字元线的侧壁上分别形成一保护薄膜。一种氮化矽唯读记忆体(NBit)的制造方法，包括：提供一基底；在该基底上形成多数条电荷捕捉层；于该些电荷捕捉层两侧之该基底中形成多数条埋入式位元线；在该些电荷捕捉层上形成一导体层；在该导体层上形成一金属矽化物层；在该金属矽化物层上形成一罩幕图案，以定义出多数个字元线区域并露出该金属矽化物层的部分表面；在该基底上形成一罩幕衬层，覆盖该罩幕图案与该金属矽化物层的表面，以缩减该些字元线区域之间的距离；对该罩幕衬层与该罩幕图案进行一蚀刻制程，直到露出该金属矽化物层的部分表面；以及以该罩幕衬层与该罩幕图案作为罩幕，蚀刻该金属矽化物层与该导体层，以形成多数条字元线，其中该金属矽化物层中的矽含量@sIMGCHAR!d10019.TIF@eIMG!2原子数/分子，以降低该些字元线之间的桥接故障率(bridge failure rate)。如申请专利范围第10项所述之氮化矽唯读记忆体的制造方法，其中该金属矽化物层包括WSix层。如申请专利范围第11项所述之氮化矽唯读记忆体的制造方法，其中形成该金属矽化物层的方法包括进行一低压化学气相沉积制程。如申请专利范围第12项所述之氮化矽唯读记忆体的制造方法，其中该低压化学气相沉积制程包括以二氯矽烷(dichlorosilane，DCS)作为矽的来源气体以及以WF6作为钨的来源气体。如申请专利范围第11项所述之氮化矽唯读记忆体的制造方法，其中该WSix层中的x介于1.9~2之间。如申请专利范围第10项所述之氮化矽唯读记忆体的制造方法，其中形成该罩幕图案之步骤包括：利用化学气相沉积法在该金属矽化物层上形成一氧化层；以及利用微影蚀刻制程，使该氧化层成为露出该金属矽化物层的部分表面之氧化物图案。如申请专利范围第10项所述之氮化矽唯读记忆体的制造方法，其中形成该罩幕衬层的方法包括利用低压化学气相沉积法在反应气体为四乙氧基矽烷(TEOS)的情形下沉积一氧化薄膜。如申请专利范围第10项所述之氮化矽唯读记忆体的制造方法，其中该导体层的材料包括掺杂多晶矽。如申请专利范围第10项所述之氮化矽唯读记忆体的制造方法，其中在该基底上形成该些电荷捕捉层之步骤包括：在该基底上形成一堆叠结构，该堆叠结构自该基底包括一第一氧化层、一第一氮化层、一第二氧化层、一第二氮化层与一第三氧化层；以及利用微影蚀刻制程，使该堆叠结构成为该些电荷捕捉层。如申请专利范围第10项所述之氮化矽唯读记忆体的制造方法，其中形成该些字元线之步骤后更包括在该些字元线的侧壁上分别形成一保护薄膜。一种记忆体之字元线的形成方法，包括：提供一具有一导体层的基底；于该导体层上形成一金属矽化物层，其中该金属矽化物层中的矽含量@sIMGCHAR!d10020.TIF@eIMG!2原子数/分子；于该金属矽化物层上形成一罩幕图案，以定义出多数个字元线区域并露出该金属矽化物层的部分表面；于该些字元线区域的侧壁形成多数个罩幕衬层；以及以该些罩幕衬层与该罩幕图案作为罩幕，蚀刻该金属矽化物层与该导体层，以形成多数条字元线。如申请专利范围第20项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中该金属矽化物层包括WSix层。如申请专利范围第21项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中形成该金属矽化物层的方法包括进行一低压化学气相沉积制程。如申请专利范围第22项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中该低压化学气相沉积制程包括以二氯矽烷(dichlorosilane，DCS)作为矽的来源气体以及以WF6作为钨的来源气体。如申请专利范围第21项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中该WSix层中的x介于1.9~2之间。如申请专利范围第20项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中形成该罩幕图案之步骤包括：利用化学气相沉积法在该金属矽化物层上形成一氧化层；以及利用微影蚀刻制程，使该氧化层成为露出该金属矽化物层的部分表面之氧化物图案。如申请专利范围第20项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中形成该罩幕衬层的方法包括：利用低压化学气相沉积法在反应气体为四乙氧基矽烷(TEOS)的情形下沉积一氧化薄膜；以及回蚀刻该氧化薄膜。如申请专利范围第20项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中该导体层的材料包括掺杂多晶矽。如申请专利范围第20项所述之记忆体之字元线的形成方法，其中形成该些字元线之步骤后更包括在该些字元线的侧壁上分别形成一保护薄膜。 |
