| 主权项 |
一种于一晶圆上利用光学辐射图样化光阻之方法，该方法包含：提供一包括一基板以及一位于该基板上之衰减堆叠之衰减的相移光罩，该衰减堆叠包含位于该基板上的一铬层或一钌层、位于该铬层或该钌层上的一氧化钽矽层以及位于该氧化钽矽层上的一氮化钽矽层；以及于该晶圆上使用该光罩图样化一光阻层，其中图样化包含将光学辐射穿过该衰减的相移光罩以曝露该光阻层的部分。如申请专利范围第1项之方法，其中穿过该光罩并曝露该光阻层的该光学辐射具有一至少为150奈米的曝露波长。如申请专利范围第2项之方法，其中穿过与该衰减堆叠相邻之该衰减的相移光罩之该基板部分的该光学辐射在该曝露波长下具有一大于90%的透射，且穿过该衰减的堆叠之该光学辐射在该曝露波长下具有一5%至20%之透射。如申请专利范围第3项之方法，其中该衰减堆叠可提供该光学辐射的一180度相移。如申请专利范围第1项之方法，其中该衰减堆叠进一步包含一位于该基板与该铬层或该钌层之间的层。如申请专利范围第1项之方法，其中该基板与该衰减堆叠在一检查波长下的一检查对比大于75%。一种于一晶圆上利用光学辐射图样化光阻之方法，其包含：提供一包括一基板以及一位于该基板上的衰减堆叠之衰减的相移光罩，其中该衰减堆叠包含一第一层、一第二层以及一第三层，其中该第一层包含铬或钌中的一个，该第二层包含氧化钽矽以及该第三层包含氮化钽矽；以及于该晶圆上使用该光罩图样化一光阻层，其中图样化包含将光学辐射穿过该衰减的相移光罩以曝露该光阻层的部分。如申请专利范围第7项之方法，其中该等第一与第二层位于该基板与该第三层之间。如申请专利范围第7项之方法，其中该等第二与第三层位于该基板与该第一层之间。如申请专利范围第7项之方法，其中穿过该光罩并曝露该光阻层的该光学辐射具有一至少为157奈米的波长，且其中穿过与该衰减堆叠相邻之该衰减的相移光罩之该基板部分的该光学辐射具有一大于90%的透射，且穿过该衰减的堆叠之该光学辐射具有一5%至20%的透射。 |
