发明名称 降低浸润式微影制程中水纹缺陷的新式顶抗反射涂布材料
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.05.11
申请号 TW095135426 申请日期 2006.09.25
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 张庆裕
分类号 G03F7/11 主分类号 G03F7/11
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种涂布于一光阻层上用于浸润式微影制程的涂布材料,包含:一酸,能实质上中和来自该光阻层的一硷性抑制剂,该酸为一无机酸,其中该无机酸为过氯酸、碘化氢、溴化氢、氯化氢、硝酸、硫氰酸、氯酸、碘酸、次磷酸、氟化氢、亚硝酸、氰酸、次氯酸、次溴酸、氢氰酸、次碘酸、硫酸、铬酸、亚硫酸、磷酸、亚磷酸、焦磷酸、碳酸、硫化氢、硼酸或上述的任意组合;以及一聚合物,实质上为该酸的一载体且实质性的不溶于该浸润式微影制程的一浸润式流体,该聚合物之化学结构为碳氢高分子聚合物,或包含一个以上的氟原子。如申请专利范围第1项所述之涂布材料,其中该酸化学键结于该聚合物。如申请专利范围第1项所述之涂布材料,其中该酸与该聚合物混合。如申请专利范围第1项所述之涂布材料,其中该涂布材料可溶解于一硷性溶液。如申请专利范围第4项所述之涂布材料,其中该硷性溶液为氢氧化四甲铵溶液。如申请专利范围第1项所述之涂布材料,其中该涂布材料可溶解于一溶剂。如申请专利范围第6项所述之涂布材料,其中该溶剂为环己醇。一种浸润式微影的方法,包含:形成一光阻层于一基板上,该光阻层包含一硷性抑制剂;形成一涂布材料层于该光阻层上,其中该涂布材料层包含:一酸,能实质上中和来自该光阻层的该硷性抑制剂,该酸为一无机酸,其中该无机酸为过氯酸、碘化氢、溴化氢、氯化氢、硝酸、硫氰酸、氯酸、碘酸、次磷酸、氟化氢、亚硝酸、氰酸、次氯酸、次溴酸、氢氰酸、次碘酸、硫酸、铬酸、亚硫酸、磷酸、亚磷酸、焦磷酸、碳酸、硫化氢、硼酸或上述的任意组合;以及一聚合物,实质上为该酸的一载体且实质性的不溶于该浸润式微影制程的一浸润式流体,该聚合物之化学结构为碳氢高分子聚合物,或包含一个以上的氟原子;使用一浸润式透镜系统经由一光罩曝光该光阻层;烘烤该光阻层;以及显影曝光后的该光阻层。如申请专利范围第8项所述之浸润式微影的方法,其中该浸润式透镜系统之数值孔径约大于0.85。如申请专利范围第8项所述之浸润式微影的方法,其中该酸化学键结于该聚合物。如申请专利范围第8项所述之浸润式微影的方法,其中该酸非化学键结于该聚合物。如申请专利范围第8项所述之浸润式微影的方法,其中该涂布材料可溶解于一硷性溶液。如申请专利范围第8项所述之浸润式微影的方法,其中该涂布材料实质性溶解于一溶剂。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号