| 主权项 |
一种凸块结构，其至少包含：一基板，其系具有一表面、复数个焊垫及一第一保护层，该些焊垫系设置于该表面，该第一保护层系形成于该表面并显露该些焊垫；复数个凸块下金属层，各该凸块下金属层系具有一第一外周壁；复数个铜凸块，其系形成于该些凸块下金属层上，各该铜凸块系具有一第一顶面及一第二外周壁；一导接层，其系形成于该些铜凸块之该些第一顶面，该导接层系具有一第二顶面及一第三外周壁，且该导接层系包含有一镍层及一接合层，该镍层系位于该铜凸块与该接合层之间，其中该第三外周壁与该第二外周壁之间系具有一第一间距，该第三外周壁与该第一外周壁之间系具有一第二间距且该导接层及该第一保护层之间系具有一容置空间，该容置空间系环绕该第一外周壁及该第二外周壁，且该容置空间系具有一对应于该第一外周壁之第一容置部及一对应于该第二外周壁之第二容置部；一第一保护环，其系形成于该第一容置部；以及一第二保护环，其系形成于该第二容置部。如申请专利范围第1项所述之凸块结构，其中该第一保护环系连接该第二保护环。如申请专利范围第1项所述之凸块结构，其中该第一保护环系具有一第一环壁，该第二保护环系具有一第二环壁，该第一环壁、该第二环壁及该第三外周壁系为平齐。如申请专利范围第1项所述之凸块结构，其中该第三外周壁系具有一第三外周长，该第二外周壁系具有一第二外周长，该第一外周壁系具有一第一外周长，该第三外周长系大于该第二外周长，该第二外周长系不小于该第一外周长。如申请专利范围第1项所述之凸块结构，其中该第二间距系不小于该第一间距。如申请专利范围第1项所述之凸块结构，其中该第二保护层系选自于氧化物或氮化物其中之一。如申请专利范围第6项所述之凸块结构，其中该氮化物系可为氮化矽、氮氧化矽或其混合体其中之一。如申请专利范围第6项所述之凸块结构，其中该氧化物系可为二氧化矽、氮氧化矽或其混合体其中之一。 |
