发明名称 Method for Measuring and Controlling Melting Gap in Cz-Si crystal growth
摘要 <p>단결정 잉곳 성장 장치에서 단열부재와 실리콘용액 사이의 용융 간격을 측정하는 방법에 있어서, 상기 용융 간격을 수치적으로 측정하여 정량화할 수 있는 방법 및 상기 간격을 조정할 수 있는 제어 방법이 제시된다. 본 발명에 따른 용융 간격 측정 방법은 단열부재에 장착된 측정로드의 말단과 실리콘용액 표면에 비친 측정로드 말단의 그림자의 영상 정보를 얻어, 상기 측정로드 말단의 제1 좌표와 상기 측정로드 말단 그림자의 제2 좌표를 측정하고, 상기 제1 좌표 및 상기 제2 좌표의 차이를 이용하여 용융 간격을 측정한다. 또한, 본 발명에 따른 용융 간격 제어 방법은 본 발명의 용융 간격 측정 방법에 따라 측정된 초기 제2 좌표를 기준으로, 실리콘용액 표면의 수위 변화에 의해 변화된 제2 좌표를 다시 측정하고, 상기 초기 제2 좌표와 변화된 제2 좌표 사이의 차이를 수치화하여, 이를 바탕으로 도가니를 이동시킨다. 본 발명에 의한 단결정 잉곳 성장 과정에서 용융 간격 측정 및 제어 방법에 의하면, 단결정 잉곳 성장 장치에서 단열부재와 실리콘용액 표면 사이의 간격을 정량적으로 측정하여 정확한 간격을 알 수 있을 뿐만 아니라, 이를 바탕으로 도가니를 이동시킴으로써, 실리콘용액의 수위 변화에 따른 용융 간격을 일정하게 유지할 수 있어, 성장되는 단결정 잉곳의 품질을 일정하게 유지할 수 있는 효과가 있다.</p>
申请公布号 KR101080569(B1) 申请公布日期 2011.11.04
申请号 KR20090005140 申请日期 2009.01.21
申请人 发明人
分类号 C30B15/22;C30B15/26 主分类号 C30B15/22
代理机构 代理人
主权项
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