| 发明名称 |
半导体发光元件 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI352438 |
申请公布日期 |
2011.11.11 |
| 申请号 |
TW096132464 |
申请日期 |
2007.08.31 |
| 申请人 |
廣鎵光電股份有限公司 臺中市大雅區中部科學工業園區科雅路22號 |
发明人 |
邱舒伟 |
| 分类号 |
H01L33/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
一种半导体发光元件，包含：一基板，该基板具有一上表面；一多层结构，该多层结构系形成于该基板之该上表面上，该多层结构包含至少一半导体材料层以及一发光区，该多层结构并且具有一顶表面；至少一个电极结构，该至少一个电极结构系形成于该多层结构之该顶表面上；一光反射器，该光反射器系形成于该多层结构之该顶表面上，其中该光反射器系一反射器组合，且该反射器组合系由选自由一蓝光反射器、一绿光反射器及一红光反射器所组成之一群组中之其一或其二以上所组成；以及一萤光层，形成于该光反射器上。 |
| 地址 |
台中市大雅区中部科学工业园区科雅路22号 |
