| 摘要 |
<p>다파장 반도체 레이저가 개시된다. 본 발명의 다파장 반도체 레이저는 분리 영역을 개재하여 공통 기판 상에 설치된 제1 단부면 발광형 공진기 구조와 제2 단부면 발광형 공진기 구조를 갖는다. 제1 단부면 발광형 공진기 구조는 650nm의 발진 파장을 가진다. 제2 단부면 발광형 공진기 구조는 780nm의 발진 파장을 가진다. 막 두께 60nm의 제1 AlO막, 막 두께 55nm의 TiO막, 및 막 두께 140nm의 제2 AlO막으로 이루어진 3층 유전체막이며, TiO막의 굴절율은 제1 AlO막의 굴절율과 제2 AlO막의 굴절율보다 작은 저 반사막을 포함한다.</p> |
