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<p>본 발명은 MOS 트랜지스터의 형성시 기생적으로 형성되는 기생 BJT의 이득 특성 및 동작 주파수 특성을 개선시킬 수 있는 반도체 소자의 제조방법을 제공하기 위한 것으로서, 이를 위해 본 발명에서는 제1 영역 및 제2 영역으로 정의된 반도체 기판을 제공하는 단계와, 상기 제1 영역 및 제2 영역에 각각 제1 웰 및 제2 웰을 형성하는 단계와, 상기 제1 영역의 상기 제1 웰 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극의 양측으로 노출된 상기 제1 웰과 상기 제2 웰에 이온주입공정을 실시하여 상기 제1 웰에는 소오스/드레인 영역을 형성하고, 상기 제2 웰에는 서로 분리된 컬렉터용 접합영역, 베이스용 접합영역 및 에미터용 접합영역을 각각 형성하는 단계와, 상기 에미터용 접합영역 사이로 노출된 상기 제2 웰과 일부 영역이 접촉되도록 상기 에미터용 접합영역과 상기 제2 웰 상에 금속 실리사이드층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다.</p> |
