Crystallization method, method of manufacturing a thin film transistor and method of manufacturing a display device
摘要
<p>결정화 방법, 박막 트랜지스터 제조 방법 및 표시 장치 제조 방법에서, 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 비정질 실리콘층 상에 니켈 입자를 형성하는 단계, 상기 비정질 실리콘층에 대하여 280℃ 내지 330℃의 상대적 저온에서의 열처리를 통해 상기 니켈 입자를 확산시키는 단계 및 상기 비정질 실리콘층에 레이저를 조사하는 단계를 포함한다.</p>
