发明名称 |
MEMOIRE MAGNETOELECTRIQUE |
摘要 |
Elément de mémoire magnétoélectrique comprenant : - un élément magnétique (ELM) présentant deux directions d'équilibre stable de son aimantation (P , P ), ces directions n'étant pas opposées entre elles ; - un substrat (SP) piézoélectrique ou électrostrictif couplé mécaniquement avec ledit élément magnétique ; et - au moins une première (EL ) et une deuxième (EL ) électrode, agencées pour appliquer un champ électrique au substrat piézoélectrique ou électrostrictif de telle manière que ledit substrat exerce sur ledit élément magnétique une contrainte mécanique non isotrope, adaptée pour induire une commutation de l'état d'aimantation dudit élément magnétique par couplage magnétostrictif. Cellule de mémoire comprenant un tel élément de mémoire. Mémoire non-volatile à accès direct et circuit logique programmable comprenant une pluralité de telles cellules de mémoire. |
申请公布号 |
FR2961632(A1) |
申请公布日期 |
2011.12.23 |
申请号 |
FR20100002580 |
申请日期 |
2010.06.18 |
申请人 |
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE;ECOLE CENTRALE DE LILLE |
发明人 |
TIERCELIN NICOLAS;DUSCH YANNICK;PERNOD PHILIPPE JACQUES;PREOBRAZHENSKY VLADIMIR |
分类号 |
H01L27/20;G11C11/02;H01L27/22 |
主分类号 |
H01L27/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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