浮置闸ＮＡＮＤ快闪记忆体之使用闸极注入的记忆胞操作方法

摘要

本发明提供一种当浮置闸与控制闸之间的闸极耦合比小于0.4时使用的对快闪记忆胞元件执行操作之方法。需要越过控制闸施加电位。自控制闸注入电子至浮置闸或自浮置闸射出电子至控制闸。由提供于元件中之矽通道之性质决定与注入或射出相关联之操作。使用块体连接式FinFET状结构之元件特别适合于此方法。此方法亦特别适合用于NAND阵列中之记忆胞上。