发光二极体结构及其制造方法

摘要

本发明系提供一种发光二极体(LED)结构，该发光二极体系包含一四族半导体构成之基板，一AlN成核层，形成于该四族基板上，一GaN磊晶层，形成于该AlN成核层上，一分散式布拉格反射镜(DBR)多层结构，形成于该图型化之GaN磊晶层上，以及一LED作用层结构，形成于该DBR多层结构上。