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发明名称
绝缘膜、多层配线装置之制造方法及多层配线装置
摘要
一用于制造一半导体装置之方法中,包括形成一包括一具有Si-CH3键及Si-OH键的材料之绝缘膜,及以紫外射线来辐照绝缘膜,由于紫外射线辐照之缘故,藉由X-射线之C浓度的减小率、及选自由C-H键、O-H键及Si-OH之Si-O键所组成的群组之一或多个键之减小率不小于10%。提供一具有高膜强度且可防止介电常数由于湿气吸收而增大之低介电常数绝缘膜,一可防止由于寄生电容增大而使装置回应速度延迟及可靠度减低之半导体装置,及其之制造方法。
申请公布号
TWI362702
申请公布日期
2012.04.21
申请号
TW096128864
申请日期
2007.08.06
申请人
富士通股份有限公司 日本
发明人
尾崎史朗;中田义弘;矢野映
分类号
H01L21/31;H01L21/768
主分类号
H01L21/31
代理机构
代理人
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项
地址
日本
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