发明名称 于半导体元件形成细致图案的方法
摘要 一种于半导体元件形成细致图案的方法,其包含在具有底层之半导体基材上面形成包括第一个、第二个、和第三个光罩图案之沈积图案、用第三个光罩图案作为蚀刻阻障光罩将第二个光罩图案侧面蚀刻、移除第三个光罩图案、形成一曝光第二个光罩图案之上部的旋涂碳层、用旋涂碳层作为蚀刻阻障光罩进行蚀刻方法以曝光底层、及移除旋涂碳层。
申请公布号 TWI362689 申请公布日期 2012.04.21
申请号 TW096147906 申请日期 2007.12.14
申请人 海力士半导体股份有限公司 南韩 发明人 李基领;潘槿道;卜喆圭
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项
地址 南韩