半导体装置之制造方法及半导体装置

摘要

本发明提供一种可于混晶层中之Ge浓度及C浓度之容许范围内，于通道区域充分施加应力之半导体装置之制造方法及半导体装置。本发明之半导体装置之制造方法之特征在于：于Si基板1上形成虚设闸极电极3。接着，藉由以虚设闸极电极3作为掩模之凹陷蚀刻来形成凹陷区域7。接着，于凹陷区域7之表面，使包含SiGe层之混晶层8磊晶成长。接下来，于覆盖虚设闸极电极3之状态下，于混晶层8上形成层间绝缘膜12，除去层间绝缘膜12直到虚设闸极电极3之表面露出。藉由除去虚设闸极电极3，于层间绝缘膜12形成露出Si基板1之凹部13。其后，于凹部13内，经由闸极绝缘膜14来形成闸极电极15。