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发明名称
利用液体弯月面施行之蚀刻后晶圆表面清理
摘要
一种半导体晶圆表面的清理方法。施加第一清理溶液于晶圆表面,以移除晶圆表面之污染物。第一清理溶液亦随着晶圆表面其中一些污染物而移除。接着,施加氧化剂溶液于晶圆表面。氧化剂溶液在残余的污染物上形成氧化层。移除氧化剂溶液,然后施加第二清理溶液于晶圆表面。从晶圆表面移除第二清理溶液。清理溶液实际上可以用来把氧化剂层和残余的污染物一并移除。
申请公布号
TWI362700
申请公布日期
2012.04.21
申请号
TW096123452
申请日期
2007.06.28
申请人
兰姆研究公司 美国
发明人
朱济;尹石敏;马克 威尔克逊;约翰 德赖瑞厄斯
分类号
H01L21/3065;B08B3/08
主分类号
H01L21/3065
代理机构
代理人
许峻荣 新竹市民族路37号10楼
主权项
地址
美国
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