发明名称 热稳定性佳之高功率半导体元件
摘要 本发明提供一种热稳定性佳之高功率半导体元件,其系包括一电路,用以提供该高功率半导体中一闸极之一闸极驱动电压,此闸极驱动电压具有一负温度系数(negative temperature coefficient),可在高功率半导体元件温度递增时提供一渐减之闸极驱动电压,使高功率半导体元件之一净源极-汲极(Ids)温度系数小于或等于零。在一实施例中,闸极驱动电路包括一具有负正向电压温度系数之二极体,其系连接于高功率半导体元件之闸极和源极之间;再另一实施例中,将闸极电压与高功率半导体元件所组成的积体电路中之高功率半导体元件合并。
申请公布号 TWI362751 申请公布日期 2012.04.21
申请号 TW096122468 申请日期 2007.06.22
申请人 万里达半导体有限公司 美国 发明人 雷燮光;安荷叭剌;圣杰 哈佛纳
分类号 H01L29/78;H01L21/336 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 林火泉 台北市大安区忠孝东路4段311号12楼之1
主权项
地址 美国
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