发明名称 背受光型影像感测器之制造方法
摘要 本发明揭示一种背受光型影像感测器之制造方法。提供一基底,其具有一第一导电型及一第一电位。在基底内形成具有一第二导电型的一空乏区。延伸空乏区。缩减基底的厚度。在基底的一背表面植入具有第一导电型及一第二电位的离子,以形成一掺杂层。对掺杂层进行雷射退火,以活化具有第一导电型的离子。本发明亦揭示一种背受光型影像感测器。
申请公布号 TWI364108 申请公布日期 2012.05.11
申请号 TW096136537 申请日期 2007.09.29
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 发明人 许慈轩;杨敦年
分类号 H01L27/14 主分类号 H01L27/14
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号