发明名称 |
背受光型影像感测器之制造方法 |
摘要 |
本发明揭示一种背受光型影像感测器之制造方法。提供一基底,其具有一第一导电型及一第一电位。在基底内形成具有一第二导电型的一空乏区。延伸空乏区。缩减基底的厚度。在基底的一背表面植入具有第一导电型及一第二电位的离子,以形成一掺杂层。对掺杂层进行雷射退火,以活化具有第一导电型的离子。本发明亦揭示一种背受光型影像感测器。 |
申请公布号 |
TWI364108 |
申请公布日期 |
2012.05.11 |
申请号 |
TW096136537 |
申请日期 |
2007.09.29 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
许慈轩;杨敦年 |
分类号 |
H01L27/14 |
主分类号 |
H01L27/14 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |