MONOLITHIC VERTICAL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SCHOTTKY BARRIER DIODE FABRICATED FROM SILICON CARBIDE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME,申请号HK20070109128-传众专利搜索

发明名称	MONOLITHIC VERTICAL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR AND SCHOTTKY BARRIER DIODE FABRICATED FROM SILICON CARBIDE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号	HK1101257(A1)	申请公布日期	2012.07.13
申请号	HK20070109128	申请日期	2007.08.22
申请人	SS SC IP LLC;MISSISSIPPI STATE UNIVERSITY	发明人	MAZZOLA, MICHAEL, S.;MERRETT, JOSEPH, N.
分类号	H01L	主分类号	H01L
代理机构		代理人
主权项
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