整合矽控整流器之双极电晶体电路

摘要

本创作主要提供一种能够在互补金氧半制程中，具备高于操作电压之保持电压的整合矽控整流器之双极电晶体电路。所述整合矽控整流器之双极电晶体电路系由含有浮接P+扩散区域或浮接N+扩散区域的双极电晶体结构，与作为开关的金氧半电晶体闸极覆盖前述浮接区域所构成，另外闸极进一步与电阻电容电路耦合。依据静电打击或正常操作情况以决定导通金氧半开关与否调整增加减短浮接扩散区域宽度W。藉由调整在此电路中金氧半电晶体的通道长度和它的汲源极范围尺寸，得到足够的静电强健度和免除栓锁的保持电压。

主权项

一种整合矽控整流器之双极电晶体电路，至少包含有：双极电晶体结构，其含有浮接P+扩散区域或浮接N+扩散区域；金氧半电晶体，该金氧半电晶体之闸极系覆盖前述浮接区域之中央处；以及电阻电容电路，系与该该金氧半电晶体之闸极相耦合。如申请专利范围第1项所述整合矽控整流器之双极电晶体电路，其中，该双极电晶体结构设有P型基板、N井区(N-well)位于该P型基板中，该P型基板上并设有两个相连接之PNP元件和NPN元件，其中系以P型基板里的N+阴极为NPN元件的射极端；P型基板里的P+阴极为基极端；以N-well中的N+阳极为集极；然后N-well中里面添加二个浮接P+扩散区域。如申请专利范围第1项所述整合矽控整流器之双极电晶体电路，其中，该双极电晶体结构设有P型基板、N井区(N-well)位于该P型基板中，该P型基板上并设有两个相连接之PNP元件和NPN元件，其中系以N-well中的P+阳极为PNP元件的射极端；以N-well中的N+为基极端；以P型基板里的P+阴极为集极；然后P型基板里面添加二个浮接N+扩散区域。如申请专利范围第1项至第3项其中任一项所述整合矽控整流器之双极电晶体电路，其中，该电阻电容电路设有相互串连之电阻及电容。