发明名称 供超高频变器调谐器中之耦合及通频带控制用之方法
摘要
申请公布号 TW018025 申请公布日期 1975.02.01
申请号 TW06211188 申请日期 1973.08.13
申请人 奥克工业公司 发明人 ELMER BASTIAN
分类号 H03K3/33 主分类号 H03K3/33
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1﹒在一超高频调谐器中,一机架,该机架中之至少有两个空腔,该等空间之一隔离罩,该等空腔中之一个包括一天线谐振器,该等空腔中之另一个包括相互耦合之射频放大器及混频器谐振器,该等相互耦合射频放大器与混频器谐振器间之一隔离罩,该等隔离罩及空腔壁乃系予以电镀有不同之导电材料,以控制该等射频与混频器谐振器间之该项耦合频带宽度及控制该天线谐振器之频带宽度者。2﹒根据上述请求专利部份第1项之该种超高频调谐器,其进一步特点为该等隔离罩乃系予以电镀有一种导电材料,以及该等机架壁则系予以电镀有一第二种导电材料者。3﹒根据上述请求专利部份第2项之该种超高频调谐器,其进一步特点为该等隔离罩乃系予以电镀有一种锡─锌导电材料,以及该等机架壁则系予以电镀有一种锡─铜导电材料者。4﹒根据上述请求专利部份第2项之该种超高频调谐器,其进一步特点为该种锡─锌导电材料乃系具有大约百分之七十八的锡及百分之廿二的锌之该种程度之比例者。5﹒根据上述请求专利部份第3项之该种超高频调谐器,其进一步特点为该种锡─铜导电材料乃系具有大约百分之八十八的铜及百分之十二的锡之该种程度之比例者。6﹒供谐振空腔中达到频带宽度,实际耦合以及全般调谐频带宽度之最佳特性用之方法,该等谐振空腔具有一金属机架构成该等空腔之壁部以及该等谐振空腔间之金属隔离罩,该种方法乃系包括将该等隔离罩及空腔壁部电镀有不同之导电材料之步骤者。7﹒根据上述请求专利部份第6项之该种方法,其进一步特点为该等隔离罩乃系予以电镀有一种导电材料,以及该等机架壁部则系予以电镀有一第二种导电材料者。8﹒根据上述请求专利部份第7项之该种方法,其进一步特点为该等隔离罩乃系予以电镀有一种锡─锌导电材料,以及该等机架壁部则系予以电镀有一种锡─铜导电材料者。9﹒根据上述请求专利部份第8项之该种方法,其进一步特点为该种锡─锌导电材料乃系具有在大约百分之七十八的锡及百分之廿二的锌之该种程度之比例者。10﹒根据上述请求专利部份第8项之该种方法,其进一步特点为该种锡─铜导电材料乃系具有在大约百分之八十八的铜及百分之十二的锡之该种程度之比例。
地址 荷兰爱尔荷芬巿以马辛格29号
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