发光装置及封装结构

摘要

本创作提供一种发光装置。本创作之发光装置包括一基板、位于此基板上并具有至少一贯穿孔及至少一非贯穿孔之一半导体层叠结构、分别设置于上述贯穿孔及非贯穿孔侧壁上之一绝缘反射层及分别填充于上述贯穿孔及非贯穿孔内之一导电材料。本创作亦提供一种封装结构。

主权项

一种发光装置，包括：一半导体层叠结构，包括一发光区，该半导体层叠结构具有至少一贯穿孔及至少一非贯穿孔，其中该非贯穿孔具有一封闭端面位于该半导体层叠结构中；一导电材料，分别填充于该贯穿孔及该非贯穿孔内；以及一绝缘反射层，分别设置于该贯穿孔及该非贯穿孔的侧壁上。如申请专利范围第1项所述之发光装置，其中该半导体层叠结构包括：一第一导电型半导体层；一发光区，形成于该第一导电型半导体层之上；以及一第二导电型半导体层，形成于该发光区之上且该非贯穿孔之封闭端面位于该第二导电型半导体层中。如申请专利范围第1项所述之发光装置，其中该贯穿孔或该非贯穿孔之孔径可介于约10微米至约300微米之间。如申请专利范围第2项所述之发光装置，其中更包括一基板形成于该第二导电型半导体层之上，且与该发光区相对。如申请专利范围第4项所述之发光装置，该基板包括复数开口对应于该贯穿孔及该非贯穿孔下方使该贯穿孔及该非贯穿孔延伸穿过该基板。如申请专利范围第4项所述之发光装置，更包括一底部反射层设置于该基板之上或设置于该基板与该第二导电型半导体层之间，且该贯穿孔及该非贯穿孔延伸穿过该底部反射层。如申请专利范围第6项所述之发光装置，其中该底部反射层可为一反射金属层、一单一绝缘反射层、一多层绝缘反射层、一布拉格反射镜层或前述之组合。如申请专利范围第1项所述之发光装置，其中该绝缘反射层为一单一绝缘反射层、一多层绝缘反射层、一布拉格反射镜层或前述之组合。如申请专利范围第1项所述之发光装置，更包括复数贯穿孔及复数非贯穿孔，及/或该等贯穿孔及该等非贯穿孔分别排列成一阵列。如申请专利范围第1项所述之发光装置，其中该贯穿孔及该非贯穿孔为柱状微孔且上孔径等于或不等于下孔径。一种封装结构，包括：一发光装置，包括：一半导体层叠结构，包括一发光区，该半导体层叠结构具有至少一贯穿孔及至少一非贯穿孔，其中该非贯穿孔具有一封闭端面位于该半导体层叠结构中；一导电材料，分别填充于该贯穿孔及该非贯穿孔内；以及一绝缘反射层，分别设置于该贯穿孔及该非贯穿孔的侧壁上；一封装基板，设置于该发光装置下方，且具有复数焊垫及复数导电支架，其中该导电材料藉由该等焊垫电性连接至该等导电支架；以及一覆罩，固定于该封装基板上且覆盖该发光装置。如申请专利范围第11项所述之封装结构，其中该半导体层叠结构包括：一第一导电型半导体层；一发光区，形成于该第一导电型半导体层之上；以及一第二导电型半导体层，形成于该发光区之上且该非贯穿孔之封闭端面位于该第二导电型半导体层中。如申请专利范围第11项所述之封装结构，其中该贯穿孔或该非贯穿孔之孔径可介于约10微米至约300微米之间。如申请专利范围第12项所述之封装结构，其中更包括一基板形成于该第二导电型半导体层之上，且与该发光区相对。如申请专利范围第14项所述之封装结构，该基板包括复数开口对应于该贯穿孔及该非贯穿孔下方使该贯穿孔及该非贯穿孔延伸穿过该基板。如申请专利范围第14项所述之封装结构，更包括一底部反射层设置于该基板之上或设置于该基板与该第二导电型半导体层之间，且该贯穿孔及该非贯穿孔延伸穿过该底部反射层。如申请专利范围第16项所述之封装结构，其中该底部反射层可为一反射金属层、一单一绝缘反射层、一多层绝缘反射层、一布拉格反射镜层或前述之组合。如申请专利范围第11项所述之封装结构，其中该绝缘反射层为一单一绝缘反射层、一多层绝缘反射层、一布拉格反射镜层或前述之组合。如申请专利范围第11项所述之封装结构，更包括复数贯穿孔及复数非贯穿孔及/或该等贯穿孔及该等非贯穿孔分别排列成一阵列。如申请专利范围第11项所述之封装结构，其中该贯穿孔及该非贯穿孔为柱状微孔且上孔径等于或不等于下孔径。