| 主权项 |
一种用于一锁相回路电路之充电帮浦，该充电帮浦包含：一源电流电晶体(sourcing current transistor)，用以提供一源电流，该源电流电晶体耦合至一高操作电压电源；一源控制电路(sourcing control circuit)，耦合至该源电流电晶体，该源控制电路使用复数个于一低电压之低电压源控制讯号(low-voltage sourcing control signals)，以选择性地使该充电帮浦提供该源电流至该充电帮浦之一输出端；以及一吸收控制电路(sinking control circuit)，耦合至一个或多个吸收电流电晶体(sinking current transistor)，该吸收控制电路使用复数个于一低电压之低电压吸收控制讯号(low-voltage sinking control signals)，以选择性地使该充电帮浦自该充电帮浦之该输出端吸收一吸收电流。如请求项1所述之充电帮浦，其中该一个或多个吸收电流电晶体其中之一吸收该吸收电流，以及该一个或多个吸收电流电晶体其中之一耦合至接地端。如请求项2所述之充电帮浦，其中该低电压源控制讯号及该低电压吸收控制讯号系接收自该锁相回路电路之一相位频率侦测器，该相位频率侦测器具有与该低电压相同之一操作电压。如请求项3所述之充电帮浦，其中该等低电压源控制讯号及该等低电压吸收控制讯号系直接接收自该相位频率侦测器，且未对该等控制讯号之电压准位提供一升压。如请求项1所述之充电帮浦，其中该源控制电路包含复数个P型金氧半电晶体，该源控制电路之该等P型金氧半电晶体用以基于该低电压源控制讯号切换通往该充电帮浦之电流，该吸收控制电路包含复数个P型金氧半电晶体，该吸收控制电路之该等P型金氧半电晶体用以基于该低电压吸收控制讯号切换通往该充电帮浦之电流。如请求项2所述之充电帮浦，其中该一个或多个吸收电流电晶体系为N型金氧半电晶体。如请求项2所述之充电帮浦，其中更包含复数个镜像电晶体(mirror transistor)，该等镜像电晶体至少其中之一耦合至该高操作电压电源，以及该等镜像电晶体至少其中之一耦合至该吸收控制电路。如请求项2所述之充电帮浦，其中该一个或多个吸收电流电晶体包含一第一吸收电晶体及一第二吸收电晶体，该吸收控制电路之一第一电晶体具有一汲极，该汲极耦合于该第一吸收电晶体及该第二吸收电晶体之间，俾该第一吸收电晶体提供该吸收电流，该吸收电流等于流过该第二吸收电晶体之电流减掉流过该吸收控制电路之该第一电晶体之电流。如请求项1所述之充电帮浦，其中该等低电压源控制讯号包含一源控制讯号及一互补源控制讯号，该等低电压吸收控制讯号包含一吸收控制讯号及一互补吸收控制讯号。一种锁相回路电路，包含：一相位频率侦测器，操作于一低电压，且于该低电压下提供复数个低电压源控制讯号及复数个低电压吸收控制讯号；以及一充电帮浦，操作于一高电压，且该充电帮浦包含：一源电流电晶体，用以提供一源电流，该源电流电晶体耦合至一高操作电压电源；一源控制电路，耦合至该源电流电晶体，用以接收该等低电压源控制讯号，且基于该等低电压源控制讯号，选择性地使该充电帮浦输出该源电流至该充电帮浦之一输出端；以及一吸收控制电路，耦合至一个或多个吸收电流电晶体，用以接收该等低电压吸收控制讯号，且基于该等低电压吸收控制讯号，选择性地使该充电帮浦自该充电帮浦之该输出端吸收一吸收电流。如请求项10所述之锁相回路电路，其中该一个或多个吸收电流电晶体用以提供一吸收电流功能，该等吸收电流电晶体其中之一耦合至接地端，以及该等吸收电流电晶体其中之一耦合至该吸收控制电路。如请求项10所述之锁相回路电路，其中该等低电压源控制讯号及该等低电压吸收控制讯号系直接接收自该相位频率侦测器，且未对该等控制讯号之电压准位提供一升压。如请求项10所述之锁相回路电路，其中该源控制电路包含复数个P型金氧半电晶体，该源控制电路之该等P型金氧半电晶体用以基于该等源控制讯号切换通往该充电帮浦之电流，该吸收控制电路包含复数个P型金氧半电晶体，该吸收控制电路之该等P型金氧半电晶体用以基于该等吸收控制讯号切换通往该充电帮浦之电流。如请求项10所述之锁相回路电路，更包含复数个镜像电晶体，该等镜像电晶体其中之一耦合至该高操作电压电源，以及该等镜像电晶体至少其中之一耦合至该吸收控制电路。如请求项10所述之锁相回路电路，其中该等低电压源控制讯号包含一源控制讯号及一互补源控制讯号，该等低电压吸收控制讯号包含一吸收控制讯号及一互补吸收控制讯号。一种输出及吸收电流之方法，该方法利用一锁相回路之一充电帮浦，该方法包含：藉由一源电流电晶体提供一源电流，该源电流电晶体耦合至该充电帮浦之一高操作电压电源；藉由将一源控制电路耦合至该源电流电晶体，选择性地使该充电帮浦输出该源电流至该充电帮浦之一输出端，该源控制电路接收复数个低电压源控制讯号；藉由一个或多个吸收电流电晶体提供一吸收电流，该等吸收电流电晶体其中之一耦合至一接地端；以及藉由将一吸收控制电路耦合至该等吸收电流电晶体至少其中之一，选择性地使该充电帮浦自该充电帮浦之该输出端吸收该吸收电流，该吸收控制电路接收复数个低电压吸收控制讯号。如请求项16所述之方法，其中该等低电压源控制讯号及该等低电压吸收控制讯号系接收自该锁相回路电路之一相位频率侦测器，该相位频率侦测器具有与该低电压源控制讯号或该低电压吸收控制讯号相同之一操作电压。如请求项17所述之方法，其中该等低电压源控制讯号及该等低电压吸收控制讯号系直接接收自该相位频率侦测器，且未对该等控制讯号之电压准位提供一升压。如请求项16所述之方法，其中选择性地使该充电帮浦自该充电帮浦之该输出端吸收该吸收电流之步骤包含：藉由该吸收控制电路之复数个P型金氧半电晶体，且基于该等低电压吸收控制讯号，切换通往该充电帮浦之电流。如请求项16所述之方法，其中该一个或多个吸收电流电晶体包含一第一吸收电晶体及一第二吸收电晶体，该吸收电流系由该第一吸收电晶体所提供，该吸收电流等于流过该第二吸收电晶体之电流减掉流过该吸收控制电路之一第一电晶体之电流，该吸收控制电路之该第一电晶体具有一汲极，耦合于该第一吸收电晶体及该第二吸收电晶体之间。 |
