封装晶片制造方法及其结构

摘要

本发明为一种封装晶片制造方法及其结构，其系由一晶片之焊垫打线连接出复数条金属导线，每一金属导线中段弯曲并高于一预定高度且其二端分别电性连接至其中二焊垫；然后封装一封胶层于晶片上并高于一预定高度；且于该预定高度处切割封胶层以移除上部，并显露出每一金属导线之二上断点；最后接合基板于封胶层上，并使基板上之复数电路接点分别对应电性耦接至复数金属导线之上断点。因此，本发明能缩短封装晶片结构内部之金属导线的长度，以提高传输速度、及节省金线成本，又能缩小封装结构体积。

主权项

一种封装晶片制造方法，包括以下步骤：(A)提供一晶片，该晶片之上表面设有复数个焊垫；(B)打线连接出复数条金属导线，每一金属导线中段弯曲并高于一预定高度，每一金属导线二端分别电性连接至该复数个焊垫其中二焊垫；(C)封装一封胶层于该晶片上、并包覆住该复数金属导线至少一部分，该封胶层并高于该预定高度；(D)由该预定高度处切割该封胶层，并切断该复数金属导线以显露出每一金属导线之二上断点；以及(E)接合一已预先布设有复数电路接点之基板于该封胶层上，其中，该复数电路接点系分别对应电性耦接至该复数金属导线之该等上断点。如申请专利范围第1项所述封装晶片制造方法，其中，该步骤(A)中该晶片之下表面系固着于一载板上。如申请专利范围第1项所述封装晶片制造方法，其在该步骤(D)后更包括有一步骤：(D1)形成复数金属接垫于该封胶层上，该复数金属接垫分别对应于该复数金属导线之该等上断点；其中，该步骤(E)中该基板之该复数电路接点系藉由该复数金属接垫分别电性连接至该复数金属导线之该等上断点。如申请专利范围第3项所述封装晶片制造方法，其中，该步骤(D1)中形成复数金属接垫于该封胶层上之方法系包括以过锡炉方式形成。如申请专利范围第1项所述封装晶片制造方法，其中，该步骤(D)中切割该封胶层之方法系至少选自于由雷射切割、钻石刀切割、及砂轮切割所组成之群组。如申请专利范围第1项所述封装晶片制造方法，其在步骤(E)后更包括有一步骤：(F)形成复数球接垫于该基板之上表面上，该复数球接垫系分别电性耦接该复数电路接点。一种封装晶片结构，包括：一晶片，包括有一上表面、及一下表面，该上表面设有至少一焊垫；至少一金属导线，系包括有一第一端、及一第二端，该第一端系电性连接于该晶片之该至少一焊垫；一封胶层，是封装包覆住该晶片、及该至少一金属导线，该至少一金属导线之该第二端显露出于该封胶层之上表面；一基板，系接合于该封胶层之该上表面上，基板之下表面包括有至少一电路接点，其系对应电性耦接于该至少一金属导线之该第二端，且该基板之该下表面更凸设有至少一接脚接垫，该至少一电路接点系藉由该至少一接脚接垫电性连接至该至少一金属导线之该第二端；以及一接合层，系接合于该封胶层之上表面与该基板之该下表面之间，该接合层并不覆盖住该至少一接脚接垫。如申请专利范围第7项所述封装晶片结构，其更包括有一载板，该晶片之该下表面固着于该载板上。如申请专利范围第8项所述封装晶片结构，其更包括有一黏着层，系黏着于该晶片之下表面与该载板之间。如申请专利范围第7项所述封装晶片结构，其中，该封胶层之上表面更包括有至少一金属接垫，该基板之该至少一电路接点系藉由该至少一金属接垫电性连接至该至少一金属导线之该第二端。如申请专利范围第10项所述封装晶片结构，其中，至少一金属接垫系包括一镀锡接垫。如申请专利范围第7项所述封装晶片结构，其中，该基板之上表面更包括有至少一球接垫，其系电性耦接至该至少一电路接点。