相变记忆体装置及其制造方法

摘要

一种相变记忆体装置包括一下部电极及共用该下部电极的至少两个相变记忆体单元。另一相变记忆体装置包括一加热层，该加热层具有一与一相变材料层之较小接触区及一与一PN二极体结构之较大接触区。