| 摘要 |
一种用于保护积体电路(IC)内金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)输出驱动器免于静电放电(ESD)伤害的系统，包含一第一MOSFET输出驱动器及一第二MOSFET输出驱动器位于一共用IC扩散材料内。该系统包含一接触环耦接至共用IC扩散材料内并沿着环绕MOSFET输出驱动器之周围之外侧边缘安置。每一MOSFET输出驱动器之形心位置均相同于环绕二MOSFET输出驱动器之周围的形心。每一MOSFET输出驱动器具有一基板电阻值(Rsub)，其在ESD事件发生的MOSFET输出驱动器中起始双载子骤返。上述之Rsub值取决于自每一MOSFET输出驱动器的形心至上述接触环之复合距离。 |
