发明名称 具有源极偏压全位元线感测之非挥发储存及其相关方法
摘要 本发明揭示一种NAND串,其中位元线至位元线杂讯在感测该NAND串中之一选定非挥发性储存元件之一程式化条件之前经放电。施加一源极电压,其升压该等传导NAND串中之电压。该电压升压导致杂讯至相邻NAND串之电容耦合。一电流下拉装置用于在执行感测之前使每一NAND串放电。在将每一NAND串耦接至一放电路径达一预定时间量之后,将该NAND串之位元线耦接至电压感测组件以用于基于该等位元线之一电位感测该等选定非挥发性储存元件之该程式化条件。该等选定非挥发性储存元件可具有一负临限电压。另外,可将与该等选定非挥发性储存元件相关联之字元线设定为接地。
申请公布号 TWI386942 申请公布日期 2013.02.21
申请号 TW097124365 申请日期 2008.06.27
申请人 桑迪士克科技公司 美国 发明人 李山普;浩 泰 纽彦;曼 隆 慕依
分类号 G11C16/06;G11C16/04 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人 黄章典 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国