发明名称 |
热硬化型黏晶膜 |
摘要 |
本发明之热硬化型黏晶膜是在制造半导体装置时所使用的热硬化型黏晶膜,其特征在于:含有5 wt%~15 wt%之热可塑性树脂成分以及45 wt%~55 wt%之热硬化性树脂成分作为主要成分,且热硬化前于100℃下的熔融黏度大于等于400 Pa.s且小于等于2500 Pa.s。 |
申请公布号 |
TWI387066 |
申请公布日期 |
2013.02.21 |
申请号 |
TW097106914 |
申请日期 |
2008.02.27 |
申请人 |
日东电工股份有限公司 日本 |
发明人 |
高本尚英;三隅贞仁;松村健;天野康弘;及川麻美;三木翼 |
分类号 |
H01L23/28;C08L33/04;C08L63/00;C08L61/04 |
主分类号 |
H01L23/28 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
日本 |