半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系提升具有CMISFET之半导体装置之性能。构成CMISFET之n通道型MISFET 40及p通道型MISFET 41系闸极绝缘膜14、15包含氮氧化矽膜，闸极电极23、24包含位于闸极绝缘膜14、15上之矽膜。于闸极电极23、24及闸极绝缘膜14、15之界面附近，以1×1013~5×1014原子/cm2之面密度，导入有如Hf之金属元素。n通道型MISFET 40及p通道型MISFET 41之通道区域之杂质浓度系控制于1.2×1018/cm3以下。