形成窄间隔快闪记忆体接点开口及微影遮罩之方法

摘要

本发明提供了一种在微影光罩上产生若干光学特征以供用来产生半导体装置晶圆上的蚀刻罩幕层的一系列开孔的图案之方法(210)，该方法包含下列步骤：在该微影光罩上沿着该第一方向产生(300,310)相互间隔开的一系列光学特征，其中该等个别的光学特征具有小于将在该蚀刻罩幕层中产生图案的该等开孔的所需第一尺寸的沿着该第一方向之若干第一光罩特征尺寸。