发明名称 |
用以增进离子植入系统中之离子源的寿命及性能之方法与设备 |
摘要 |
一种离子植入系统和制程,其中离子植入系统的离子源性能与寿命系藉由采用同位素浓化之掺质材料、或采用具有效提供增进效果之补充气体的掺质材料而增进。 |
申请公布号 |
TWI386983 |
申请公布日期 |
2013.02.21 |
申请号 |
TW100106476 |
申请日期 |
2011.02.25 |
申请人 |
尖端科技材料股份有限公司 美国 |
发明人 |
肯恩罗伯;史维尼约瑟夫D;艾维拉安东尼M;瑞理查S |
分类号 |
H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/265 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |