将选择性钌沉积步骤整合于半导体装置制程中之方法

摘要

一种将选择性钌金属沉积步骤整合于半导体装置的制程中之方法，以改善主体铜中的电迁移与应力迁移。本方法包含在热化学气相沉积制程中利用含有Ru3(CO)12前驱物蒸气与CO气体之处理气体以将Ru金属膜选择性的沉积于金属化层或主体铜上。亦揭露一种包含一或多个选择性沉积的Ru金属膜的半导体装置。