薄膜电晶体之制造方法

摘要

一种薄膜电晶体之制造方法，其包括一种新的岛状半导体蚀刻制程，乃藉蚀刻气体之流量与蚀刻功率之调整，于蚀刻岛状半导体时一并蚀刻部份未被岛状半导体覆盖之闸绝缘层，使得储存电容电极上方之闸绝缘层厚度减薄，画素电极以及储存电容电极之距离缩短，画素之储存电容增加，如此即可适度减少储存电容电极幅宽，增加产品之光利用效率。