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发明名称
ㄧ种磁通道接面单元,一种包含该磁通道接面单元之装置, 及一种制造包含该磁通道接面单元之装置之方法
摘要
本发明揭示一种包括多个垂直域之磁通道接面单元。在一实施例中,揭示一种磁通道接面(MTJ)结构。该MTJ结构包括一MTJ单元。该MTJ单元包括多个垂直侧壁。该多个垂直侧壁中之每一者界定一唯一垂直磁域。该等唯一垂直磁域中之每一者经调适以储存一数位值。
申请公布号
TWI388075
申请公布日期
2013.03.01
申请号
TW098107160
申请日期
2009.03.05
申请人
高通公司 美国
发明人
李霞;康森H;朱晓中
分类号
H01L43/00;G11C11/14
主分类号
H01L43/00
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
美国
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