半导体结构体及其制造方法

摘要

一种半导体之结构体，系以具有伍兹晶体结构之第三类金属氮化物形成，并在汽态中生长于一(0001)定向之半导体基片上。该结构体包含一底覆盖层、一顶覆盖层、及于该二覆盖层间供扩散光传播于半导体结构体内之一扩散区，该扩散区具有与二覆盖层不同之折射率，及具有于扩散区与覆盖层之间提供光扩散介面之非平坦表面。依本发明，该扩散区包括多数扩散层，该扩散层之成分及厚度业经适当选择，以避免于扩散区中因张力引起之差排，而相邻之扩散层则具有不同之折射率，俾进一步提高扩散效率。