发明名称 具有邻接至共享源极/汲极之控制闸极之源极侧注入储存装置及其方法
摘要 一种储存装置(10)具有一两位元之细胞,其中选择电极(52)最靠近两储存层(38、40)间之通道。个别控制电极(20、22)在个别储存层(38、40)上。相邻细胞系由相邻细胞间共享的一掺杂区(34)加以分离。该掺杂区(34)系藉由一植入而形成,其中使用相邻细胞之控制闸极(22、24)当作一遮罩。此结构提供缩减之面积,同时留存藉由源极侧注入执行程式化的能力。
申请公布号 TWI390674 申请公布日期 2013.03.21
申请号 TW095121525 申请日期 2006.06.16
申请人 飞思卡尔半导体公司 美国 发明人 钟M 洪;高利珊卡L 琴德洛
分类号 H01L21/8239 主分类号 H01L21/8239
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国