| 摘要 |
本发明提出一种蓝-绿色发光半导体，其具有一In-Ga-N半导体异质结，且该In-Ga-N半导体异质结被热固性聚合物及具有长波斯托克斯辐射位移的无机萤光粉所组成之转换层所覆盖，其特征在于：该In-Ga-N半导体异质结在近紫外线光谱区发射之波长为λ=375~405nm，经该转换层发射强烈的转换辐射成波长为λ=505~515nm，其斯托克斯位移为135~105nm，色座标位于0.15<x≦0.22，0.55<y≦0.60的范围，光谱曲线半波宽为△λ≦60nm，发光余晖持续时间小于100ns。此外，本发明亦揭示一种用于蓝-绿色发光半导体之萤光粉。 |
