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发明名称
光电转换装置的制造方法
摘要
本发明的目的在于提供具有高品质的微晶半导体层,其能够在不降低沉积速度下于大型基板上以高生产率的方式而直接被形成于等于或低于500℃。除此之外,提供一将该微晶半导体层用作光电转换层的光电转换装置。对由多个并列设置的波导管以及一壁所包围住的处理室供应含有氦的反应气体,将该处理室内的压力保持在大气压力或次大气压力,对夹在并列设置的波导管之间的空间供应微波以产生电浆,且在置于处理室内的基板之上沉积微晶半导体的光电转换层。
申请公布号
TWI390752
申请公布日期
2013.03.21
申请号
TW097126958
申请日期
2008.07.16
申请人
半导体能源研究所股份有限公司 日本
发明人
荒井康行;山崎舜平
分类号
H01L31/18
主分类号
H01L31/18
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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