台型半导体装置及其制造方法

摘要

本发明之课题为，在台型半导体装置及其制造方法中，既压低制造成本，且防止台型半导体装置的污染及物理性损害。于半导体基板10的表面形成N-型半导体层11，于该N-型半导体层11的上层形成P型半导体层12。于P型半导体层12上再形成与P型半导体层12连接的阳极电极14，并以包围阳极电极14之方式，从P型半导体层12的表面形成比N-型半导体层11还深的台沟26。之后，形成从台沟26内延伸至阳极电极14端部上之第二绝缘膜27。第二绝缘膜27系由聚醯亚胺系的树脂等有机绝缘物所构成。之后，沿着划痕DL切割由半导体基板10以及层叠于半导体基板10的各层所构成的层叠体。