发明名称 |
功率半导体元件及其制造方法 |
摘要 |
本发明揭露经改良的功率元件及其制造方法、封装、及使用于广泛不同的功率电子应用中之包含该功率元件之电路。本发明的一态样系合并数种电荷平衡技术及其他用于降低寄生电容之技术,以达成具有经改良的电压效能、较高切换速度及较低接通电阻之功率元件的不同实施例。本发明的另一态样系提供经改良之用于低、中及高电压元件的终止结构。根据本发明的其他态样提供了经改良之功率元件的制造方法。提出诸如沟道的成形、沟道内侧之介电层的成形、台面结构的成形及降低基材厚度的程序及其他程序步骤等特定程序步骤之改良。根据本发明的另一态样,经电荷平衡的功率元件系在相同晶粒上包含诸如二极体等温度及电流感测部件。本发明的其他态样系改良用于功率元件之等效串联电阻(ESR)、在与功率元件相同的晶片上包含额外电路且对于经电荷平衡功率元件之封装提供改良。 |
申请公布号 |
TWI404220 |
申请公布日期 |
2013.08.01 |
申请号 |
TW093141126 |
申请日期 |
2004.12.29 |
申请人 |
快捷半导体公司 美国 |
发明人 |
恰拉 亚修克;伊班哈威 艾伦;柯科 克里斯多夫B. KOCON, CHRISTOPHER B. US;莎普 史蒂芬P. SAPP, STEVEN P. IN;桑尼 巴巴克S. SANI, BABAK S. US;威尔森 彼得H. WILSON, PETER H. CA |
分类号 |
H01L31/113;H01L29/66 |
主分类号 |
H01L31/113 |
代理机构 |
|
代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
|
地址 |
美国 |