由金属基板脱离高温薄膜及／或装置的方法

摘要

薄膜及电子装置可藉由以下方法由金属基板脱离：(i)将一聚倍半氧矽烷树脂之涂层施于一金属基板，(ii)将该经涂布金属基板加热至一足以使该聚倍半氧矽烷树脂固化之温度，(iii)将一聚合物薄膜施于该金属基板上之经固化涂层，(iv)进一步将该经涂布金属基板加热至一足以使该聚合物薄膜固化之温度，(v)视情况在该聚合物薄膜上制造电子装置，且(vi)由该金属基板脱离该聚合物薄膜。