发明名称 奈米碳管植入方法
摘要 一种奈米碳管植入方法,系应用于奈米碳管发光装置之制程中,其中,该奈米碳管发光装置至少由阴极板(Cathode Plate)及阳极板(Anode Plate)所组成,该方法系先涂布一奈米碳管材料于一承载板表面,接续提供一电磁波光源,并透过一光路系统使该电磁波光源转换为一图案化电磁波光束,且以该承载板表面之奈米碳管材料对应该阴极板的方式,藉由该图案化电磁波光束推动该承载板表面之奈米碳管材料,俾令该奈米碳管材料附着于该阴极板表面,故本发明系可藉由该光路系统转换所得之图案化电磁波光束,大面积地植入奈米碳管材料于该阴极板上,相应地,则可提升生产效率。
申请公布号 TWI404450 申请公布日期 2013.08.01
申请号 TW095149741 申请日期 2006.12.29
申请人 财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 发明人 郑中纬;廖仕杰;陈辉达
分类号 H05B33/10;H01J29/08;B82B3/00 主分类号 H05B33/10
代理机构 代理人 陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号