发明名称 在实质上封闭回路方法及系统中之多晶矽的制造
摘要 本发明揭示在实质上封闭回路方法中之多晶矽的制造。该等方法通常包含使自冶金级矽制造之三氯矽烷分解。
申请公布号 TWI403610 申请公布日期 2013.08.01
申请号 TW100135943 申请日期 2011.10.04
申请人 MEMC电子材料公司 美国 发明人 布沙拉普 赛提戍;黄粤;古普塔 普尼特
分类号 C23C16/455;C23C16/42 主分类号 C23C16/455
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国