发明名称 形成二极体的方法
摘要 某些实施例包含形成二极体之方法。可在一第一传导材料上方形成一堆叠。该堆叠以递升次序可包含一牺牲材料、至少一介电材料及一第二传导材料。可沿该堆叠之相对侧壁形成间隔件,且然后可移除该牺牲材料整体以在该第一传导材料与该至少一介电材料之间留下一间隙。在形成二极体之某些实施例中,可在一第一传导材料上方形成一层,其中该层含有散布于牺牲材料中之支撑件。可在该层上方形成至少一介电材料,且可在该至少一介电材料上方形成一第二传导材料。然后可移除该牺牲材料整体。
申请公布号 TWI413190 申请公布日期 2013.10.21
申请号 TW098138121 申请日期 2009.11.10
申请人 美光科技公司 美国 发明人 珊得胡 高提杰S;斯尼法珊 巴哈斯卡
分类号 H01L21/329 主分类号 H01L21/329
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国